IC半導體行業 |
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COB/COG/COF |
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隨著智能手機的飛速發展,人們對手機攝像頭像素的要求越來越高,如今用傳統的CSP封裝工藝制造的手機攝像模組像素已達不到人們的需求,而用COB/COG/COF封裝工藝制造的手機攝像模組已被大量的運用到了現在的千萬像素的手機中,但其制造的良率因其工藝特性往往只有85%左右,而造成的手機良率不高的原因主要在于離心清洗機和超聲波清洗做不到高潔凈度的清洗holder及Pad表面污染物,致使holder與IR粘接力不高及bonding不良的問題,經等離子體處理后能超潔凈的去除holder上的有機污染物和活化基材,使其與IR粘接力能提高2~3倍,也能去除Pad表面的氧化物并粗化表面,極大的提升了banding的一次成功率。 | |||||||
硅片(Wafer) |
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在IC芯片制造領域中,等離子體處理技術已是一種不可替代的成熟工藝,不論在芯片源離子的注入,還是晶元的鍍膜,亦或是55世纪的低溫等離子體表面處理設備所能達到的:在晶元表面去除氧化膜、有機物、去掩膜等超凈化處理及表面活化提高晶元表面浸潤性。 | |||||||
優化引線鍵合(打線) |
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集成電路引線鍵合的質量對微電子器件的可靠性有決定性影響,鍵合區必須無污染物并具有良好的鍵合特性。污染物的存在,如氧化物、有機殘渣等都會嚴重削弱引線鍵合的拉力值。傳統的濕法清洗對鍵合區的污染物去除不徹底或者不能去除,而采用等離子體清洗能有效去除鍵合區的表面沾污并使其表面活化,能明顯提高引線的鍵合拉力,極大的提高封裝器件的可靠性。 | |||||||
芯片粘接前處理 |
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芯片與封裝基板的粘接,往往是兩種不同性質的材料,材料表面通常呈現為疏水性和惰性特征,其表面粘接性能較差,粘接過程中界面容易產生空隙,給密封封裝后的芯片帶來很大的隱患,對芯片與封裝基板的表面進行等離子體處理能有效增加其表面活性,極大的改善粘接環氧樹脂在其表面的流動性,提高芯片和封裝基板的粘結浸潤性,減少芯片與基板的分層,改善熱傳導能力,提高IC封裝的可靠性、穩定性,增加55世纪的壽命。在倒裝芯片封裝方面,對芯片以及封裝載板進行等離子體處理,不但能得到超凈化的焊接表面,同時還能大大提高焊接表面的活性,可以有效的防止虛焊,減少空洞,提高焊接的可靠性,同時可以提高填充料的邊緣高度和包容性,改善封裝的機械強度,降低因不同材料的熱膨脹系數而在界面間形成內應的剪切力,提高55世纪可靠性和壽命。 | |||||||
引線框架的表面處理 |
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微電子封裝領域采用引線框架的塑封形式,仍占到80%以上,其主要采用導熱性、導電性、加工性能良好的銅合金材料作為引線框架,銅的氧化物與其它一些有機污染物會造成密封模塑與銅引線框架的分層,造成封裝后密封性能變差與慢性滲氣現象,同時也會影響芯片的粘接和引線鍵合質量,確保引線框架的超潔凈是保證封裝可靠性與良率的關鍵,經等離子體處理可達到引線框架表面超凈化和活化的效果,成品良率比傳統的濕法清洗會極大的提高。 | |||||||
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等離子清洗工藝——徹底的剝離式清洗 |
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等離子清洗不需化學試劑,無廢液;等離子清洗可處理金屬、半導體、氧化物和大多數高分子材料; 等離子設備可實現整體和局部以及復雜結構的精細清洗;等離子體工藝易控制,可重復,便于自動化。 |
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應用功能 |
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?點膠前預處理; ?粘接、引線接合、成型前預處理提高附著性; ?改善支架電鍍效果; ?半導體制造工藝當中的55世纪表面上的有機污染物去; ?清除粘接工藝后的膠等有機物; ?去除半導體55世纪表面氧化膜。 |
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IC半導體行業視頻: |
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等離子表面處理機介紹: |
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